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Electromigration Modeling at Circuit Layout Level
Electromigration Modeling at Circuit Layout Level

Electromigration Modeling at Circuit Layout Level

Cher Ming Tan - Feifei He
pubblicato da Springer Singapore

Prezzo online:
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Integrated circuit (IC) reliability is of increasing concern in present-day IC technology where the interconnect failures significantly increases the failure rate for ICs with decreasing interconnect dimension and increasing number of interconnect levels. Electromigration (EM) of interconnects has now become the dominant failure mechanism that determines the circuit reliability. This brief addresses the readers to the necessity of 3D real circuit modelling in order to evaluate the EM of interconnect system in ICs, and how they can create such models for their own applications. A 3-dimensional (3D) electro-thermo-structural model as opposed to the conventional current density based 2-dimensional (2D) models is presented at circuit-layout level.

Dettagli

Generi Scienza e Tecnica » Ingegneria e Tecnologia » Ingegneria meccanica e dei materiali » Ingegneria elettronica e delle comunicazioni » Fisica

Editore Springer Singapore

Formato Ebook con Adobe DRM

Pubblicato 29/12/2015

Lingua Inglese

EAN-13 9789814451215

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